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EMC高管:PCM将在NAND闪存不可用时拯救我们

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EMC的闪存高管预计,相变存储器——闪存可能的非易失性接班人之一——将从明年开始出现在存储架构。

来源:比特网 2012年12月3日

关键字: pcm EMC 美光 NAND闪存

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EMC的闪存高管预计,相变存储器——闪存可能的非易失性接班人之一——将从明年开始出现在存储架构。

相变存储器利用在硫化物材料中的不同阻抗等级,当它们由一种非结晶状态到结晶状态然后再返回。

根据预计,作为NAND的工艺尺寸缩小到15nm左右,工作寿命会显著下降,速度会放缓,并且错误检查和纠正逻辑将变得更加复杂。在这一点上,大体上说希望有一种NAND之后的技术,将提供比闪存更高的芯片密度,速度比闪存更快,接近DRAM(内存)的速度,字节寻址的而不是块寻址,还有更长的工作寿命。这似乎像一个非常高的要求。

IBM、美光(Micron)、海力士(Hynix)和三星都参与了PCM技术,美光科技最近宣布,他们已经开始大规模生产PCM芯片。不过,他们也都参与了其它可能的NAND后续技术... 他们没有全神贯注地致力于PCM,并且在构建有足够的容量、速度和存储密度的芯片上出现了问题。尽管存在这些问题,EMC已经看好了PCM。

PCM单元示意图

Zahid Hussain是EMC公司高级副总裁兼闪存产品事业部总经理,他对2013年有两个预测。首先,他预计更多的使用闪存:

在2013年,闪存不再是未来游戏规则的改变者——这是现在的标准,在所有的存储架构中无处不在。这并不奇怪..

其次,他补充说:

在2013年,我们将看到一个在基于PCM的架构中疾风般的投资活动。通过这种非易失性随机存取记忆体,该行业将开始增加现有产品并提供另一种非常快的存储选项,带有比闪存记忆体技术更低的延迟,开始接近DRAM的速度。

EMC在其VFCache PCIe闪存卡和他们由VFCache卡组成的Project Thunder(雷电计划)机箱上与美光一起工作。或许,美光对于PCM的前景在私下里比公开表现的更积极,并已经发送PCM的消息给EMC。

该公司看上去期待PCM被相当广泛的采纳:“我们将看到一个在基于PCM的架构中狂风骤雨般的投资活动”,Hussain说。

那么,还有谁会跳出来?也许Hussain知道我们不知道的东西——El Reg的猜测是,美光深入地参与并告诉他那里都有些什么。

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